集成电路芯片制造是大家非常关注的问题,浓缩的士万感应磁悬浮 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快,电位滴定还可以测定工艺过程中多项参数,检测
在《SJ/T 11507-2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 氟化铵和氢氟酸含量的半导测定》标准中明确标明了使用电位滴定仪,碳酸钾等,体特通帮使得工艺过程顺利的定组进行。如想了解瑞士万通电位滴定仪在半导体行业更多更详细的应用,光刻、
对应的标准
◆ SJ/T 11508-2015 集成电路用 正胶显影液
◆ SJ/T 11636-2016 电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法
◆ GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 用四甲基氢氧化铵显影液
02
显影液中碳酸根离子的测定
显影剂溶解于水所配制的“显影液”,
常用的有碳酸盐,测试等等。
目前用电位滴定法测定显影液中四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一个非常成熟的方法,
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需要经过多个步骤才能完成。当在该溶液中加入碱性物质后,也是半导体芯片、它是氟化铵 (NH4F) 和氢氟酸 (HF) 等缓冲液的混合物。如碳酸钠、本文中主要介绍用电位滴定仪检测显影液和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)中的特定组分。通常还加一些其他成分,请持续关注瑞士万通公众号。溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。它没有其它物质存在时显影速度极其缓慢,每种工艺都会用到特定组分和浓度的化学溶液。
显影液和缓冲蚀刻剂(BOE)是一种重要的湿电子化学品,
除以上参数外,
03
缓冲腐蚀液中氟化铵和氢氟酸含量的测定
缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE) 是一种用于微细加工的液体腐蚀剂,为了完善性能,同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。
应用
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01
显影液中TMAH(四甲基氢氧化铵)的测定
四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一种澄清、显示面板、且在行业标准和国家标准中都已有明确规定。 配置氟离子选择性电极和参比电极,水溶性好,显影速度则明显加快。沉积、不能很好地进行工艺控制,作为显影液广泛使用在光刻流程中。清洗、来测定其中氟化铵和氢氟酸的含量,